上海：推动骨干企业芯片设计能力进入3纳米及以下 加快第三代化合物半导体发展

　　中证网讯（记者 王可 实习记者 章佩林）7月14日，上海市人民政府办公厅印发《上海市先进制造业发展“十四五”规划》。规划提出，以自主创新、规模发展为重点，提升芯片设计、制造封测、装备材料全产业链能级。在芯片设计方面，加快突破面向云计算、数据中心、新一代通信、智能网联汽车、人工智能、物联网等领域的高端处理器芯片、存储器芯片、微处理器芯片、图像处理器芯片、现场可编程逻辑门阵列芯片（FPGA）、5G核心芯片等，推动骨干企业芯片设计能力进入3纳米及以下，打造国家级电子设计自动化（EDA）平台，支持新型指令集、关键核心IP等形成市场竞争力。在制造封测方面，加快先进工艺研发，支持12英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设，争取产能倍增，加快第三代化合物半导体发展；发展晶圆级封装、2.5D/3D封装、柔性基板封装、系统封装等先进封装技术。在装备材料方面，加强装备材料创新发展，突破光刻设备、刻蚀设备、薄膜设备、离子注入设备、湿法设备、检测设备等集成电路前道核心工艺设备；提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻胶、湿化学品、电子特气等基础材料产能和技术水平，强化本地配套能力。