报告：天岳先进碳化硅衬底市占率居全球首位

中证报中证网讯（记者 张鹏飞）近日，日本知名调研机构富士经济发布报告显示，2025年中国企业天岳先进（SICC）在6英寸、8英寸碳化硅衬底市场占有率双双位居全球首位。其中，整体碳化硅衬底市场占有率登顶全球第一，8英寸产品全球市占率更是突破50%，打破了Wolfspeed多年来的榜首记录。从稳居全球前三，到2024年跃居全球第二，再到2025年全面领跑，天岳先进用三年完成跨越式突破。

碳化硅衬底是第三代半导体核心材料，是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石。衬底制备难度大、成本高，市场份额直接体现技术实力与产业话语权。2023年前，天岳先进虽稳居全球前三，但与Wolfspeed差距明显。随着2023年年中临港工厂投产，长期技术积累转化为市场优势。2024年，公司以22.80%的份额位居全球第二。2025年，凭借产能与技术优势，以及与博世、英飞凌等国际大厂的深度合作，天岳先进实现全面领跑。

陡峭的增长曲线，源自前瞻性技术布局与长期产业深耕。以天岳先进为代表的国内企业实现规模化突破，为电动汽车、新能源、AI数据中心等下游领域打开了广阔空间。以新能源车为例，国产车主驱模块中的碳化硅器件已由“高端选配”加速迈向“主流标配”，车载充电机、DC-DC变换器等核心部件也已逐步采用SiC方案，碳化硅渗透进程全面提速。

碳化硅的应用边界还在持续拓展。AI算力的指数级爆发，倒逼数据中心供电架构革命性升级，800V高压直流与固态变压器为碳化硅带来前所未有的市场机遇。在AR眼镜光学领域，半绝缘型SiC衬底凭借高热稳、低色散等特性实现突破性应用；在先进封装领域，碳化硅中介层可有效提升散热性能，台积电等企业正推进其在CoWoS封装中的应用。

从产业格局看，天岳先进在8英寸碳化硅产品上先发优势显著。与6英寸晶圆相比，8英寸可增加芯片产量90%，SiC MOSFET成本有望降低54%，大尺寸将进一步加速碳化硅的大规模应用。目前全球已有超过10条8英寸SiC产线规划落地，天岳先进已成为行业大尺寸化趋势中最具话语权的引领者。

在技术创新方面，天岳先进首创液相法制备技术，能够制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，并最早布局12英寸碳化硅技术，2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，2025年完成全产品矩阵构建。2021年与2025年，公司分别凭借半绝缘型与导电型碳化硅衬底两度获评“国家制造业单项冠军”，成为行业内罕见的“双冠王”。

目前，天岳先进仍在加大产能建设，96万片产能规划正分步实施。2025年8月，公司成功登陆港交所，成为A+H两地上市的唯一碳化硅衬底企业。资本实力的夯实，将有力保障其在AI数据中心、先进封装、AR光学等新兴赛道兴起之际抢占先机，持续以中国力量改写全球碳化硅半导体产业格局。