长鑫存储与长江存储、福建晋华并称为国产存储器三大探路者。5月15日，长鑫存储董事长朱一明透露，公司已累计投入25亿美元研发费用，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。
构建技术体系
5月15日，在全球半导体联盟（GSA）与上海市集成电路行业协会共同举办的存储峰会上，DRAM生产商长鑫存储介绍自身的建设经历和知识产权体系。
DRAM产业在全球发展了几十年，制程技术持续进步，在架构、制程、设计、接口、测试、系统等方面存在很多专利，且绝大部分控制在三星、海力士和美光手中。新进者是否拥有合规的技术来源以及自主创新能力成为立足发展的关键。
朱一明表示，长鑫存储通过自主研发再创新，累计投入25亿美元研发费用，建成了严谨合规的研发体系，并结合当前先进设备完成了大幅度的工艺改进，开发出独有的技术体系，拉近了与世界先进水平的技术差距。长鑫存储完成了第一座12英寸DRAM存储器晶圆厂的建设，技术和产品研发有序开展。目前，制造工艺进展顺利，已持续投入晶圆超过15000片。
DRAM即动态随机存储芯片，是最常见的系统内存，广泛用于PC、手机、服务器等领域，是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。中国大陆是该芯片最大的应用市场，却几乎不拥有自主产能，韩国三星、海力士、美国美光垄断了该产业95%的产能。
2016年，长鑫存储项目启动，是中国大陆少有的DRAM设计和制造一体化项目（IDM），当时与长江存储和福建晋华并称为中国存储产业的三大探路者，备受业界瞩目。
