中证APP讯（记者 杨洁）耐威科技（300456）12月18日晚公告称，公司控股子公司聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”，由此，聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业。
此外，耐威科技表示，在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。
公告称，该产品研制成功，短期内不会对公司的生产经营产生重大影响，但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备，有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。
据公告介绍，与第二代半导体硅（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度，在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料，特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件，在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。
