东芯股份拟募资7.5亿元强化芯片主业
近日，上交所科创板上市委会议通过了东芯股份首发上市申请。公司本次拟募集资金投向1xnm闪存产品研发及产业化等项目，并补充流动资金。募投项目合计投资金额为7.5亿元。
盈利情况得到改善
上市委要求发行人结合研发团队构建、技术储备、竞争对手和募投项目，进一步说明其技术先进性和核心竞争力；要求发行人说明报告期内Fidelix公司境内外财务数据差异的原因及合理性；发行人的股东2018年12月两次股权转让价格存在差异的原因及合理性。
此外，上市委要求公司进一步评估并补充披露报告期内Fidelix公司境内外财务数据差异可能产生的潜在风险及应对措施；2019年向Fidelix公司支付授权及技术研究开发服务费的交易背景、作价依据及合理性。
东芯股份聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案，并为优质客户提供芯片定制开发服务。
公告显示，存储芯片行业受供需关系影响，价格呈周期性波动。目前，公司产品尚处于导入期，整体销售规模较小，规模效应不明显，盈利情况波动较大。
2018年至2020年（报告期），公司的营业收入分别为50997.55万元、51360.88万元和78430.79万元，扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润分别为-3040.02万元、-6343.22万元和1755.32万元。2018年-2019年度出现较大幅度亏损，2020年市场行情回暖，公司对大客户销售逐步放量，盈利情况得到改善。
募资巩固主业
招股说明书显示，公司本次募集资金扣除发行费用后，将全部用于公司主营业务相关的项目及主营业务发展所需资金。募集资金投资额约为7.5亿元，主要用于1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目以及补充流动资金项目。
1xnm闪存产品研发及产业化项目和车规级闪存产品研发及产业化项目是基于公司现有非易失性存储芯片产品的进一步迭代和升级，与主营业务密切相关。研发中心建设项目基于公司主营业务与核心技术，以产业内相关新技术的创新突破和新产品前瞻布局为主要研究方向，进一步拓展产品领域和种类，提高产品性能，增强公司综合竞争力，推动公司产品向高技术含量、高附加值、高成长性方向发展。
具体看，1xnm闪存产品研发及产业化项目是在公司现有的存储芯片设计业务能力基础上，开发生产1xnm NAND Flash芯片，通过购置设备、软件系统以及培养优秀的研发技术人员，提升芯片设计能力，推进产品先进制程，降低制造成本，提升芯片存储容量，顺应存储芯片行业发展方向，提升公司的盈利能力。项目拟投入资金约23110.68万元。
车规级闪存产品研发及产业化项目拟投资16633.84万元。其中，建设投资6293.88万元，占比37.84%；研发投入7980万元，占比47.97%；铺底流动资金2359.96万元，占比14.19%。
研发中心建设项目总投资5840.48万元，主要包括研发中心的基建投资、先进研发和实验设备的购置、专业技术人才的培养等。本次研发中心建设项目以开发行业前沿技术和产品为目标，理论研究和应用开发并重，不断提升公司研发创新能力。
此外，拟使用募集资金29415万元用于补充流动资金。
持续研发创新
招股说明书显示，公司未来三年的发展目标是通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的性能领先和竞争优势；凭借多种类存储产品的优势，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务能力；坚持以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间；持续开拓国内优质客户，服务行业重要客户，有计划、有步骤地拓展海外市场，提升公司在欧美市场的地位和影响力。
公司自设立以来一直从事存储芯片的设计和研发，通过不断技术创新保持在业内的领先优势。未来，公司将不断推出适应市场需求的新技术、新产品，保持和巩固公司现有的市场地位和竞争优势。
具体看，公司拟在现有的存储芯片设计能力的基础上，与中芯国际合作开发生产1xnm NAND Flash芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，提供先进工艺制程的保障。
公司将聚焦高附加值产品，顺应汽车产业的智能网联发展趋势，大力发展在工艺技术、使用环境、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的产业化目标。同时，研发存算一体化芯片、DTR NAND等前瞻性产品，积极布局前沿技术，增强技术和产品的持续创新能力，丰富和拓展公司的产品结构。
公司表示，将凭借销售团队过去开拓海外市场的经验，进一步拓展海外市场，在欧美建立本地化销售团队，提升公司在当地市场的地位和影响力。
