赛晶电力电子发布首款自研IGBT芯片及模块产品

　　中证网讯（记者 吴科任）9月28日，赛晶电力电子（00580.HK）发布首款由公司自主研发的国产IGBT芯片及模块产品（1200V)，其主要应用场景为新能源发电领域。未来，公司还将推出600V至1700V的中低压领域产品，瞄准电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

　　IGBT，又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有驱动功率小、饱和压降低等特点，适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　国元证券表示，IGBT是新型电力电子器件，被称为电力电子的“CPU”。在新能源、节能环保等一系列国家政策的支持下，国内IGBT市场持续快速增长。但目前IGBT市场基本由欧美企业垄断，中国企业市场份额较低，国产替代空间广阔。

　　目前，国内许多厂商正在积极研发IGBT，许多产业链终端用户也在支持国产IGBT产品。

　　赛晶电力电子董事会主席项颉表示：“尽管在低电压、小功率、技术难度和性能要求相对较低的领域，国内企业取得了不错的成绩，特别是模块封装企业进步明显，但对IGBT模块性能起到决定性作用的IGBT芯片，国内与国外技术差距较大。”

　　公开资料显示，4年前，赛晶电力电子开始布局IGBT，今年6月生产基地落地浙江嘉兴。该项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能达200万件IGBT模块产品。

　　项颉介绍，上述项目预计今年年底前厂房建设完成，2021年一季度第一条生产线试生产、第二条生产线投资启动，预计未来3至5年完成全部生产线建设。“一旦公司产品批量供货，产能释放，可迅速帮助市场与企业解决缺货问题，缓解供需失衡的现状。”