东芯股份聚焦存储芯片设计领域
9月22日晚间，上交所受理东芯股份科创板上市申请。公司拟募资7.5亿元，用于1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目和补充流动资金。
东芯股份是领先的存储芯片设计公司，聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案，并提供芯片定制开发服务。
进入知名客户供应链体系
东芯股份成立于2014年11月，控股股东为东方恒信，实际控制人为蒋学明，其通过东方恒信、东芯科创控制公司49.96%的表决权，并担任公司董事长。
东芯股份高度重视研发投入与技术创新，致力于实现本土存储芯片的技术突破。公司研发团队在存储芯片设计领域积累了大量技术经验，基于自有知识产权和研发设计体系，自主开发了NAND、NOR、DRAM等主流存储芯片。
凭借高可靠性、低功耗等特点，东芯股份多款核心产品已通过国内外多家知名企业的认证。目前，东芯股份的产品获得高通、博通、联发科、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、紫光展锐等多家知名平台厂商认证，并进入了三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。
近年来，东芯股份的销售规模增长较为明显，尤其在闪存芯片方面。2017年至2019年及2020年上半年，公司销售收入复合增长率达到68.28%。公司表示，随着公司在全球范围内业务的拓展，尤其在工业控制、汽车电子等新兴应用领域的布局，公司业务规模将持续攀升，在存储芯片领域的行业地位将得到进一步巩固和提升。
截至2020年6月30日，公司拥有覆盖主流存储芯片的境内外发明专利77项，为公司强大的技术升级和产品研发能力奠定了坚实基础。东芯股份表示，未来将专注于存储芯片设计领域的科技创新，满足客户对高性能存储器芯片的需求，为存储需求提供可靠高效的解决方案。
采用Fabless经营模式
财务数据显示，2017年至2019年及2020年上半年，东芯股份分别实现营业收入3.58亿元、5.10亿元、5.14亿元和3.12亿元，扣除非经常性损益后归属于母公司股东净利润分别为-3242.93万元、-3040.02万元、-6343.22万元和-94.71万元。
报告期内，公司的综合毛利率分别为21.73%、22.28%、15.00%及21.99%。主要产品毛利率受原材料、封装测试成本、产品售价、产品结构等因素影响。公司指出，如果未能正确判断下游需求，未能有效控制成本，或市场竞争格局发生变化等，可能导致公司毛利率波动。
经营规模不断扩大，东芯股份的应收账款逐年升高。招股说明书显示，2017年至2019年，公司应收账款账面价值分别为4205.76万元、9773.15万元、1.47亿元，占营业收入比例分别为11.75%、19.16%、28.62%。
公司采用Fabless经营模式，产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测厂进行。由于集成电路行业的特殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业，且市场集中度较高。报告期各期，公司向前五大供应商的采购金额占采购总额的比例分别为88.44%、83.16%、83.81%及88.73%。
公司提示，未来如果晶圆价格、委外加工费用大幅上升，或公司主要供应商经营发生重大变化或合作关系发生变化，导致公司供货紧张或采购成本增加，可能会对公司日常经营和盈利能力造成不利影响。
同时，公司面临较高的存货跌价风险。报告期各期末，公司存货账面价值分别为1.88亿元、3.24亿元、4.16亿元和4.48亿元，占总资产的比例分别为50.46%、49.58%、58.95%、59.05%。公司表示，如果未来客户需求、市场竞争格局发生变化，或公司未能有效拓宽销售渠道，使得库存产品滞销，可能导致存货库龄变长，可变现净值降低，从而将面临存货跌价风险。
拟募资7.5亿元加码主业
东芯股份此次拟公开发行不超过11056.24万股普通股，占发行后总股本的比例不低于25%，拟募集资金不超过7.5亿元，用于1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目和补充流动资金。
1xnm闪存产品研发及产业化项目和车规级闪存产品研发及产业化项目，基于公司现有非易失性存储芯片产品进一步迭代和升级，与主营业务密切相关。公司表示，该项目开发生产1xnm NAND Flash芯片，通过购置设备、软件系统以及培养优秀的研发技术人员，提升芯片设计能力，推进产品先进制程，降低制造成本，提升芯片存储容量，顺应存储芯片行业发展方向。
同时，东芯股份拟进一步布局汽车电子领域，通过购置先进的研发设备、软件系统以及培养优秀的研发技术人员，增强车规级存储芯片的设计研发能力，并实现车规级闪存产品的产业化目标，进一步丰富公司产品结构，提高核心竞争力，推动公司产品向高性能、高附加值的方向发展。
研发中心建设项目总投资5840.48万元，主要建设内容包括研发中心的基建投资、先进研发和实验设备的购置、专业技术人才的培养等。据介绍，研发中心建设项目以开发行业前沿技术和产品为目标，研发方向包括“存算一体化芯片、LPDDR4x和DTR NAND Flash”。
东芯股份表示，公司聚焦存储芯片领域。未来三年，东芯股份将通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持现有产品的性能领先和竞争优势，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓。同时，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品。
